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生活常识AT29BV010A:1兆比特(128K x 8)单2.7伏电池电压?CMOS闪存

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  • TA的每日心情
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    16 小时前
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    [LV.3]偶尔看看II

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    ?单电源电压,范围27V至36V
    ?单电源读写
    ?软件保护编程
    ?速读取访问时间-200ns
    ?低功耗
    ◆15mA有效电流
    ◆20μACMOS待机电流
    ?行业项目补单
    ◆单周期重新编程(擦除和编程)
    ◆1024个扇区(128字节扇区)
    ◆128字节的内部地址和数据锁存
    ?两个带锁定功能的8KB启动块
    ?速扇区程序循环时间-比较大20ms。
    ?内部程序控制和定时器
    ?程序结束检测的数据轮询
    ?典型耐久性10000次循环
    ?CMOS和TTL兼容的输入和输出
    ?商业和工业温度范围
    描述
    AT29BV010A是一款仅27伏系统内闪存可编程和可擦除只读存储器(闪存)。它的1兆位内存由8位131072个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOSEEPROM技术制造,访问时间高达200ns,功耗低至54mW。当取消选择器件时,CMOS待机电流小于20μA。设备的耐久性使得任何扇区通常都可以被写入超过10000次。该编程算法与Atmel低压闪存系列产品中的其他设备兼容。
    为了现简单的系统内可重新编程性,AT29BV010A不需要高输入电压进行编程。该设备可以使用单个27V至36V电源运行。从设备中读取数据类似于从EPROM中读取。对AT29BV010A进行扇区重新编程;128字节的数据被加载到设备中,然后同时编程。
    在重新编程周期中,地址位置和128字节的数据以微处理器速度捕获并内部锁存,从而释放地址和数据总线用于其他操作。在启动编程周期后,设备将自动擦除扇区,然后使用内部控制定时器对锁存的数据进行编程。程序周期的结束可以通过IO7的数据轮询来检测。一旦检测到程序周期结束,就可以开始对读取或程序的新访问。
    设备操作
    读取:AT29BV010A的访问方式类似于EPROM。当CE和OE为低电平,WE为高时,存储在由地址引脚确定的存储位置的数据在输出端被禁用。只要CE或OE为高,输出就会处于高阻抗状态。这种双线控制为人员提供了防止总线争用的灵活性。
    软件数据保护编程:AT29BV010A有1024个单独的扇区,每个扇区128个字节。使用软件数据保护功能,字节标签用于输入要编程的扇区的128个字节。AT29BV010A只能使用软件数据保护功能进行编程或重新编程。该设备以扇区为基础进行编程。如果要更改扇区内的一字节数据,则必须将整个128字节扇区的数据加载到设备中。在扇区编程期间未加载的任何字节中的数据都是不确定的。AT29BV010A在将数据加载到扇区之前会自动进行扇区擦除。不需要擦除命令。
    软件数据保护可保护设备免受意编程。在编程之前,必须向设备提供一系列针对特定地址和特定数据的个程序命令。相同的个程序命令必须开始每个程序操作。所有软件程序命令必须遵守探测器程序时序规范。电源转换不会重置软件数据保护功能,但软件功能将防止电源转换期间意的程序循环。
    任何在没有3字节命令序列的情况下写入设备的尝试都将启动内部写入计时器。不会向设备写入任何数据;然而,在WC的持续时间内,读取操作际上是轮询操作。
    在给出软件数据保护的3字节命令代码后,通过在CE或WE低(分别)和OE高的WE或CE输入上施加低脉冲来执行字节加载。地址被锁在CE或WE的下降沿,以比较后发生者为准。数据由CE或WE的首个上升沿锁存。
    128字节的数据必须加载到每个扇区中。在扇区编程期间未加载的任何字节都是不确定的。一旦扇区的字节被加载到设备中,它们就会在内部编程期间被同时编程。在将首个数据字节加载到设备中后,以相同的方式输入连续的字节。每个要编程的新字节必须在前一个字节的WE(或CE)的低到高转换的150μs内进行WE(或者CE)的高到低转换。如果在比较后一次低到高转变的150μs内未检测到高到低转变,则负载期将结束,内部编程期将开始。A7至A16指定扇区地址。在WE(或CE)的每次从高到低的转换期间,扇区地址必须有效。A0至A6指定扇区内的字节地址。字节可以以任何顺序加载;不需要顺序加载。
    硬件数据保护:硬件功能通过以下方式防止意中对AT29BV010A进行编程:(a)VCC感测——如果VCC低于20V(典型值),则编程功能被禁用。(b)VCC上电延迟——一旦VCC达到VCC感测电平,设备将在编程前自动超时10ms(典型值)。(c)程序抑制——保持OE低、CE高或WE高中的任何一个都会抑制程序周期。(d)噪声滤波器——WE或CE输入上小于15ns(典型值)的脉冲不会启动程序周期。
    输入电平:在27V至36V电源下工作时,地址输入和控制输入(OE、CE和WE)可以从0驱动到55V,而不会对设备的运行产生不利影响。IO线路只能从0驱动到VCC+06V。
    产品标识:产品标识模式将设备和制造商标识为Atmel。它可以通过硬件或软件操作访问。外部编程器可以使用硬件操作模式来识别Atmel产品的正确编程算法。此外,用户可能希望使用软件产品识别模式来识别零件(即使用设备代码),并让系统软件使用适当的扇区大小进行程序操作。以这种方式,用户可以具有256K至4兆比特密度的公共板,并且在存储器映中具有每个密度的扇区大小的情况下,让系统软件应用适当的扇区大小。
    有关详细信息,请参阅操作模式(用于硬件操作)或软件产品标识。两种识别方法的制造商和设备代码相同。
    数据轮询:AT29BV010A具有数据轮询功能,用于指示程序周期的结束。在程序循环期间,尝试读取加载的比较后一个字节将导致IO7上加载数据的补码。一旦程序循环完成,所有输出上的真数据都有效,下一个循环可以开始。数据轮询可以在程序周期的任何时间开始。
    TOGGLEBIT:除了数据轮询外,AT29BV010A还提供了另一种确定编程或擦除周期结束的方法。在编程或擦除操作期间,连续尝试从设备读取数据将导致IO6在1和0之间切换。一旦程序循环完成,IO6将停止切换,并读取有效数据。检查转换位可以在程序周期的任何时候开始。
    可选芯片擦除模式:使用6字节的软件代码可以擦除整个设备。有关详细信息,请参阅软件芯片擦除应用程序说明。
    BOOTBLOCK编程锁定:AT29BV010A有两个指定的具有编程锁定功能的存储块。启用此功能后,此功能可防止在指定块中编程数据。这些块中的每一个都由8K字节组成;编程锁定功能可以为任何一个块单独设置。虽然不必激活锁定功能,但可以在其中一个或两个块之前激活。
    这两个8K内存部分称为引导块。启动系统的安全代码可以包含在引导块中。AT29BV010A块位于内存的前8K字节和后8K字节中。因此,引导块编程锁定功能可以支持从较低地址或较高地址引导的系统。一旦编程锁定功能被激活,该块中的数据就不能再被擦除或编程;其他内存位置的数据仍然可以通过常规编程方法进行更改。要激活锁定功能,必须执行一系列针对特定地址和特定数据的七个程序命令。请参阅启动块锁定功能启用算法。
    如果启动块锁定功能已被激活,则芯片擦除功能将被禁用。
    启动块锁定检测:有一种软件方法可用于确定是否锁定了任何启动块部分的编程。请参阅软件产品标识入口和出口部分。当设备处于软件产品识别模式时,位置00002H的aread将显示编程下地址引导块是否被锁定,而读取位置1FFF2H将对上引导块进行锁定。如果数据为FE,则可以对相应的块进行编程;如果数据为FF,则程序锁定功能已激活,相应的块法编程。应使用软件产品标识退出模式标准操作。
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